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Samsung 990 PRO, 4TB SSD, M.2, NVMe

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Beschreibung

990 PRO, 4TB SSD, M.2 2280, NVMe, PCIe 4.0, 7450MB/s Lesen, 6900MB/s Schreiben, 1400000 IOPS Lesen, 1550000 IOPS Schreiben, verschlüsselt

Das Samsung 990 PRO Solid State Drive kombiniert hohe Speicherkapazität, schnelle Datenübertragungsgeschwindigkeiten und erweiterte Sicherheitsfunktionen zu einer zuverlässigen und effizienten Speicherlösung. Mit einer Kapazität von 4 TB bietet es reichlich Platz für große digitale Bibliotheken, während die PCI Express 4.0 x4 (NVMe)-Schnittstelle einen schnellen Datenzugriff und Übertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 7450 MB/s beim Lesen und 6900 MB/s beim Schreiben gewährleistet. Die 256-Bit-AES-Hardwareverschlüsselung bietet erweiterte Sicherheit und schützt sensible Daten vor unbefugtem Zugriff. Darüber hinaus sorgen Funktionen wie der Dynamic Thermal Guard-Schutz und Modi mit niedrigem Stromverbrauch für einen effizienten und sicheren Betrieb des Laufwerks, was es zu einer idealen Wahl für anspruchsvolle Anwendungen und Multitasking-Umgebungen macht.

  • PCIe® 4.0 NVMe™ SSD für High-End-Gaming für Konsole und PC
  • Hohe Lesegeschwindigkeit von bis zu 7.450 MB/s und Schreibgeschwindigkeit von bis zu 6.900 MB/s
  • 50 % verbesserte Leistung pro Watt gegenüber der 980 PRO (Vorgängermodell)
  • Schutz vor Überhitzung dank Heat Spreader und Dynamic Thermal Guard
  • Auch geeignet für anspruchsvolle Video- und Grafikbearbeitung
  • Unterstützt Direct Storage bei Windows 11
  • 4 TB Kapazität für umfangreiche Speicheranforderungen
  • Bis zu 7450 MB/s Lese- und 6900 MB/s Schreibgeschwindigkeit für schnellen Datenzugriff und -transfer
  • PCI Express 4.0 x4 (NVMe)-Schnittstelle für Hochgeschwindigkeits-Konnektivität
  • 256-Bit-AES-Hardwareverschlüsselung für erweiterte Datensicherheit
  • Dynamic Thermal Guard-Schutz zur Vermeidung von Überhitzung

  • 4 TB M.2 PCI Express 4.0
  • Lesegeschwindigkeit: 7450 MB/s 1400000 IOPS
  • Schreibgeschwindigkeit: 6900 MB/s 1550000 IOPS
  • V-NAND MLC NVMe 2.0
  • Hardwareverschlüsselung 256-bit AES
  • S.M.A.R.T. Unterstützung TRIM-Unterstützung
  • Komponente für: PC
  • Verbesserte Haltbarkeit
    Ausgestattet mit dem Dynamic Thermal Guard-Schutz sorgt die Samsung 990 PRO für eine optimale Leistung, indem sie Überhitzung verhindert, sowie für eine robuste Stoß- und Vibrationstoleranz, die Ihre Daten bei unerwarteten Erschütterungen schützt.
  • Hochgeschwindigkeitsleistung
    Mit einer beeindruckenden internen Datenrate von bis zu 7450 MB/s beim Lesen und 6900 MB/s beim Schreiben nutzt dieses Solid State-Laufwerk die PCI Express 4.0 x4 (NVMe)-Schnittstelle für eine schnelle Datenübertragung und ist damit ideal für anspruchsvolle Anwendungen und Multitasking.
  • Erweiterte Sicherheit
    Mit 256-Bit-AES-Hardwareverschlüsselung und TCG Opal Encryption bietet die Samsung 990 PRO eine sichere Speicherlösung, die sensible Daten vor unbefugtem Zugriff schützt.
  • Effizienter Betrieb
    Funktionen wie die Unterstützung des Geräte-Ruhezustands und ein Modus mit geringem Stromverbrauch sorgen dafür, dass das Laufwerk effizient arbeitet und so die Energiekosten senkt, während die hohe Leistung erhalten bleibt.
  • Große Kapazität und Zuverlässigkeit
    Eine großzügige Kapazität von 4 TB, unterstützt durch eine MTBF-Einstufung von 1.500.000 Stunden, gepaart mit S.M.A.R.T.-Konformität, bietet reichlich Speicherplatz für umfangreiche digitale Bibliotheken mit zuverlässiger Langlebigkeit.

Hauptmerkmale

Produktbeschreibung
Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW - SSD - 4 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Typ
Solid State Drive - intern
Kapazität
4 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
Multi-Level-Cell (MLC)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Geräte-Schlafunterstützung, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe)
22 mm x 80 mm x 2.3 mm
Gewicht
9 g

Technische Daten

Allgemein

Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
4 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
Multi-Level-Cell (MLC)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Geräte-Schlafunterstützung, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
Breite
22 mm
Tiefe
80 mm
Höhe
2.3 mm
Gewicht
9 g

Leistung

Interner Datendurchsatz
7450 MBps (lesen)/ 6900 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
1550000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
1600000 IOPS

Zuverlässigkeit

MTBF
1,500,000 Stunden

Erweiterung und Konnektivität

Schnittstellen
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280

Stromversorgung

Energieverbrauch
5.5 watt (Durchschnitt) 55 mW (Leerlauf)

Software & Systemanforderungen

Software inbegriffen
Samsung Magician Software

Verschiedenes

Kennzeichnung
IEEE 1667

Umgebungsbedingungen

Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)
0,5 ms Sinushalbwellen
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g
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