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Samsung 990 PRO, 4TB SSD, M.2, NVMe

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Beschreibung

990 PRO, 4TB SSD, M.2 2280, NVMe, PCIe 4.0, Kühlkörper, 7450MB/s Lesen, 6900MB/s Schreiben, verschlüsselt

Das Samsung 990 PRO Solid State Drive kombiniert hohe Speicherkapazität, schnelle Geschwindigkeiten und fortschrittliche Sicherheitsmaßnahmen, um die Anforderungen anspruchsvoller Datenumgebungen zu erfüllen. Mit einer Kapazität von 4 TB und einem 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache bietet es reichlich Platz und schnellen Zugriff auf Ihre Daten. Die PCI Express 4.0 x4 (NVMe)-Schnittstelle des Laufwerks sorgt für schnelle Datenübertragungsraten und ist damit ideal für intensive Anwendungen und Multitasking.
Die auf Langlebigkeit ausgelegte Samsung 990 PRO verfügt über einen integrierten Kühlkörper, um optimale Temperaturen aufrechtzuerhalten, und unterstützt die Technologien S.M.A.R.T., TRIM und Device Sleep für verbesserte Effizienz und Langlebigkeit. Seine 256-Bit-AES-Hardwareverschlüsselung und TCG Opal Encryption 2.0 bieten sicheren Datenschutz und machen ihn zu einer vertrauenswürdigen Wahl für sensible Informationen. Ob für den professionellen oder privaten Gebrauch, diese SSD bietet Leistung, Zuverlässigkeit und Sicherheit.

  • 4 TB Kapazität mit 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache für umfangreichen Speicher und schnellen Zugriff
  • PCI Express 4.0 x4 (NVMe) Schnittstelle für Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung
  • Integrierter Kühlkörper zur Aufrechterhaltung optimaler Betriebstemperaturen
  • Unterstützt S.M.A.R.T., TRIM und Device Sleep für verbesserte Effizienz und Haltbarkeit
  • 256-Bit-AES-Hardwareverschlüsselung für sicheren Datenschutz

  • 4 TB M.2 PCI Express 4.0
  • Lesegeschwindigkeit: 7450 MB/s
  • Schreibgeschwindigkeit: 6900 MB/s
  • V-NAND TLC NVMe 2.0
  • Hardwareverschlüsselung 256-bit AES
  • S.M.A.R.T. Unterstützung TRIM-Unterstützung
  • Komponente für: PC/Spielekonsole
  • Erhöhte Haltbarkeit
    Mit einer MTBF von 1.500.000 Stunden und einer robusten Stoßbeschleunigungstoleranz von 1500 g im Nichtbetrieb bietet dieses Solid State-Laufwerk eine außergewöhnliche Haltbarkeit und Zuverlässigkeit für den Langzeiteinsatz.
  • Hochgeschwindigkeitsleistung
    Mit einer beeindruckenden internen Datenrate von bis zu 7450 MB/s beim Lesen und 6900 MB/s beim Schreiben sowie einer maximalen 4KB-Zufallslesegeschwindigkeit von 1600000 IOPS und einer Schreibgeschwindigkeit von 1550000 IOPS gewährleistet die Samsung 990 PRO schnelle Datenzugriffs- und Übertragungsgeschwindigkeiten.
  • Erweiterte Sicherheit
    Ausgestattet mit 256-Bit-AES-Hardwareverschlüsselung und TCG Opal Encryption 2.0 bietet dieses Laufwerk erweiterte Sicherheitsfunktionen zum Schutz Ihrer Daten vor unbefugtem Zugriff.
  • Effiziente Energieverwaltung
    Mit einem niedrigen durchschnittlichen Stromverbrauch von 6,5 W und einem Idle-Modus, der nur 55 mW benötigt, ist die Samsung 990 PRO für einen effizienten Energieverbrauch ohne Leistungseinbußen ausgelegt.
  • Innovative Technologie
    Mit der Samsung V-NAND TLC Technologie, der Garbage Collection Technologie und der Unterstützung des Geräte-Ruhezustands bietet diese SSD verbesserte Effizienz, Zuverlässigkeit und eine hohe Speicherkapazität von 4 TB mit einem 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache für optimale Leistung.

Hauptmerkmale

Produktbeschreibung
Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0GW - SSD - 4 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Typ
Solid State Drive - intern
Kapazität
4 TB
Integrierter Kühlkörper
Ja
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
TRIM-Unterstützung, Geräte-Schlafunterstützung, Garbage Collection-Technologie, Samsung V-NAND TLC Technology, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe)
25 mm x 80.15 mm x 8.88 mm
Gewicht
28 g

Technische Daten

Allgemein

Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
4 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
Integrierter Kühlkörper
Ja
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
TRIM-Unterstützung, Geräte-Schlafunterstützung, Garbage Collection-Technologie, Samsung V-NAND TLC Technology, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
Breite
25 mm
Tiefe
80.15 mm
Höhe
8.88 mm
Gewicht
28 g

Leistung

Interner Datendurchsatz
7450 MBps (lesen)/ 6900 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
1550000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
1600000 IOPS

Zuverlässigkeit

MTBF
1,500,000 Stunden

Erweiterung und Konnektivität

Schnittstellen
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280

Stromversorgung

Energieverbrauch
6.5 Watt (Durchschnitt) 55 mW (Leerlauf)

Software & Systemanforderungen

Software inbegriffen
Samsung Magician Software

Verschiedenes

Kennzeichnung
IEEE 1667

Herstellergarantie

Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre / 2400 TBW

Umgebungsbedingungen

Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g
Haben Sie noch Fragen?Kontaktieren Sie uns!+43 1 61 466-0E-Mail schreibenZum KontaktformularZetschegasse 131230 Wien+43 1 61 466-0vertrieb@cls.atImpressumDatenschutzAGBWiderrufsbelehrungJoin us!LinkedVisaMastercardMaestroEPS ÜberweisungRatenkauf mit CashpressoImpressumDatenschutzAGBWiderrufsbelehrungJoin us!Linked
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